De FGH40N60 is een krachtige IGBT-transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor), ontworpen voor toepassingen zoals omvormers, UPS-systemen, PFC-circuits en inductieverwarming. Hier is een overzicht van hoe hij werkt en wat hem bijzonder maakt:
—
⚙️ Basiswerking van de FGH40N60 IGBT
De FGH40N60 combineert eigenschappen van een MOSFET en een bipolaire transistor:
• MOSFET-gedeelte: Zorgt voor een hoge ingangsimpedantie en snelle schakeling.
• Bipolaire gedeelte: Zorgt voor lage verzadigingsspanningen en hoge stroomcapaciteit.
Wanneer er een positieve spanning op de gate wordt gezet (typisch rond 15V), opent het pad tussen de collector en emitter, waardoor stroom kan vloeien. Als de gate-spanning wordt verwijderd, sluit het pad weer.
